CVD、PVD、ALD 等薄膜沉積技術在晶圓表面形成功能層
國際品質管理系統標準,適用於所有製造業
台灣勞動基準法
台灣環境保護法規
台灣職業安全衛生法規
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物理氣相沉積濺鍍系統,12吋晶圓。可沉積Al、Cu、Ti、TiN等金屬層。磁控濺鍍、高真空、均勻性佳。適合金屬化製程。
原子層沉積系統,12吋晶圓。原子級厚度控制、3D結構覆蓋性佳。適合高介電常數材料、阻障層、先進製程節點。
直拉法單晶爐,8吋晶棒。CZ法、坩堝Φ600mm、拉速1.5mm/min、氬氣氛圍、晶向<100>、電阻率控制。